ORingFET应用中,MOS管的作用是开关器件,但是由于服务器类应用中电源不间断工作,这个开关实际上始终处于导通状态。其开关功能只发挥在启动和关断,以及电源出现故障之时。相比从事以开关为核心应用的设计人员,ORingFET应用设计人员显然必需关注MOS管的不同特性。以服务器为例,在正常工作期间,MOS管只相当于一个导体。因此,ORingFET应用设计人员*关心的是*小传导损耗。低RDS(ON)可把BOM及PCB尺寸降至*小一般而言,MOS管制造商采用RDS(ON)参数来定义导通阻抗;对ORingFET应用来说,RDS(ON)也是*重要的器件特性。数据手册定义RDS(ON)与栅极(或驱动)电压VGS以及流经开关的电流有关,但对于充分的栅极驱动,RDS(ON)是一个相对静态参数。若设计人员试图开发尺寸*小、成本的电源,低导通阻抗更是加倍的重要。在电源设计中,每个电源常常需要多个ORingMOS管并行工作,需要多个器件来把电流传送给负载。在许多情况下,设计人员必须并联MOS管,以有效降低RDS(ON)。需谨记,在DC电路中,并联电阻性负载的等效阻抗小于每个负载单独的阻抗值。比如,两个并联的2Ω电阻相当于一个1Ω的电阻。因此,一般来说,一个低RDS(ON)值的MOS管,具备大额定电流,就可以让设计人员把电源中所用MOS管的数目减至*少。除了RDS(ON)之外,在MOS管的选择过程中还有几个MOS管参数也对电源设计人员非常重要。许多情况下,设计人员应该密切关注数据手册上的安全工作区(SOA)曲线,该曲线同时描述了漏极电流和漏源电压的关系。基本上,SOA定义了MOSFET能够安全工作的电源电压和电流。在ORingFET应用中,首要问题是:在完全导通状态下FET的电流传送能力。实际上无需SOA曲线也可以获得漏极电流值。
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